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采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 内部封装电感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 内部集成NTC用于测量Tc温度 P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子

最新的CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒

第6代CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒